跟著科技的開展，印刷變頻電源電路板已成為不可或缺的電子部件，現在印刷變頻電源電路板已改稱為電子基板。傳統無機基板以Al2O3、SiC、BeO 和AlN等為基材，這些資料在熱導率、抗彎強度以及熱膨脹系數方面有杰出的功能，現廣泛應用于變頻電源MCM電路基板行業。這次研討的變頻電源電路基板資料是以微米Al2O3 和CaZrO3 為主要原料，選用硅碳棒電阻爐燒結制備而成，進而探究其相對密度、介電常數以及介電損耗功能。
相對密度剖析
上圖是添加不同量微米Al2O3 和納米CaZrO3粉后對氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料相對密度的影響。由圖可知跟著溫度的升高，其基板資料的相對密度跟著升高，溫度到達1100 ℃到達最大值。當微米Al2O3 的添加量為60 wt%，納米ZrO2 的添加量為10 wt% 時，氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料的相對密度相對其它配方最大，此刻樣品較細密，有利于氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料力學功能的進步
介電常數剖析
上圖是基板資料的介電常數隨燒結溫度改變曲線。可看出跟著溫度升高，其介電常數隨之升高。當溫度到達1100 ℃時，介電常數到達最大值。當微米Al2O3 添加量從50 wt% 改變至65 wt%，納米CaZrO3 添加量從20 wt% 改變至5 wt% 時，氧化鋁集成變頻電源電路基板資料的介電常數呈先添加后削減的趨勢。當微米Al2O3 含量為60 wt%，納米CaZrO3 含量為10 wt% 的時分，所制備的樣品功能最佳。這是因為影響介電常數的因素是多方面的，只需觸及配方組成中化學組成，當堿金屬離子氧化物的含量越多，其介電常數越大。別的，溫度升高過程中各離子和偶極子的熱運動會跟著加強，終究導致介電常數添加。
介質損耗剖析
上圖是基板資料的介質損耗隨燒結溫度改變曲線。可得到跟著溫度的升高，介質損耗逐漸下降。當微米Al2O3 在50 wt% 至65 wt% 之間改變，納米CaZrO3在20 wt% 至5 wt% 之間改變時，介質損耗先削減后添加，當微米Al2O3 添加量為60 wt%，納米CaZrO3 添加量為10 wt%，且當燒結溫度為1100 ℃時，燒結后樣品的介質損耗值最小。
物質的介質損耗是由物質內部電子、離子漏導損耗以及空間電荷極化所引起，因此物質的體積電阻率越小，其介質損耗越大。樣品中CaZrO3的存在，使得二價Ca離子以及四價Zr離子對其他低價位的離子發生壓抑效應，使得樣品的介質損耗添加，而Na2O 和K2O 的存在，使得K離子和Na離子因為雙堿效應的效果，使得網絡結合嚴密，從而樣品的介質損耗較小。
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